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BUZ900中文资料

BUZ900图片

BUZ900外观图

  • 大小：43.04KB
  • 厂家：ETC
  • 描述：ETC [N-CHANNEL POWER MOSFET]
  • 典型关断延迟时间：50 ns
  • 典型接通延迟时间：100 ns
  • 典型输入电容值@Vds：500 pF V @ 10
  • 安装类型：通孔
  • 宽度：8.7mm
  • 封装类型：TO-3
  • 尺寸：39 x 8.7 x 25mm
  • 引脚数目：2
  • 最大功率耗散：125 W
  • 最大栅源电压：±14 V
  • 最大漏源电压：160 V
  • 最大连续漏极电流：8 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：39mm
  • 高度：25mm

BUZ900供应商

更新时间:2023-01-10 21:31:05
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