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BUZ900中文资料

BUZ900图片

BUZ900外观图

  • 大小:43.04KB
  • 厂家:ETC
  • 描述:ETC [N-CHANNEL POWER MOSFET]
  • 典型关断延迟时间:50 ns
  • 典型接通延迟时间:100 ns
  • 典型输入电容值@Vds:500 pF V @ 10
  • 安装类型:通孔
  • 宽度:8.7mm
  • 封装类型:TO-3
  • 尺寸:39 x 8.7 x 25mm
  • 引脚数目:2
  • 最大功率耗散:125 W
  • 最大栅源电压:±14 V
  • 最大漏源电压:160 V
  • 最大连续漏极电流:8 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:单
  • 长度:39mm
  • 高度:25mm

BUZ900供应商

更新时间:2023-01-10 21:31:05
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